以下会使DIBL效应最明显的条件是（)。

A.减小沟道长度

B.增大衬底掺杂浓度

C.增大衬底偏压

D.增大栅氧化层电容

A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压

B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小

C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态

D.氧化层厚度增加，阈值电压增加

A.沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加

B.沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C.由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小

D.沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似

A.沟道长度减小，阈值电压增大

B.沟道长度减小，阈值电压减小

C.沟道长度减小，阈值电源不变

D.沟道长度减小，阈值电压不一定

A.氧化层正电荷控制不当

B.衬底材料掺杂浓度选择不妥

C.源漏材料掺杂浓度选择不妥

D.以上都是形成的原因

A.阈值电压降低，器件特性改变

B.亚阈值特性变差，漏电流更加明显

C.漏极电子发生倍增，形成衬底电流

D.沟道电阻降低，饱和电流上升

A.可调电阻区的电压范围为

B.近漏处比近源处的沟道厚度要小

C.此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系

D.越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大