由于通过降低沟道区掺杂浓度会改变阈值电压，因此需要同时采用功函数低的栅材料。（)

A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压

B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小

C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态

D.氧化层厚度增加，阈值电压增加

A.减小沟道长度

B.增大衬底掺杂浓度

C.增大衬底偏压

D.增大栅氧化层电容

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料

A.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大

B.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小

C.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大

D.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小

A.阈值电压降低，器件特性改变

B.亚阈值特性变差，漏电流更加明显

C.漏极电子发生倍增，形成衬底电流

D.沟道电阻降低，饱和电流上升

A.降低金半功函数差

B.增加金半功函数差

C.增加半导体掺杂浓度

D.降低半导体掺杂浓度

A.沟道长度减小，阈值电压增大

B.沟道长度减小，阈值电压减小

C.沟道长度减小，阈值电源不变

D.沟道长度减小，阈值电压不一定