A.阈值电压降低,器件特性改变
B.亚阈值特性变差,漏电流更加明显
C.漏极电子发生倍增,形成衬底电流
D.沟道电阻降低,饱和电流上升
第1题
A.沟道长度减小,阈值电压增大
B.沟道长度减小,阈值电压减小
C.沟道长度减小,阈值电源不变
D.沟道长度减小,阈值电压不一定
第2题
第3题
A.空穴
B.电子
C.电子和空穴
第4题
A.漏极电流与漏极电压
B.源极电流与漏极电压
C.漏极电流与漏源极电压
D.源极电流与漏源极电压
第5题
第6题
第7题
A.功率半导体器件处于开关状态
B.导通管压降低
C.漏电流小
D.管子导通时,相当于开路
第8题
第9题
A.碰撞电离产生衬底电流而使衬底电势起伏
B.热电子跨越Si-SiO2势垒,被注入栅介质
C.漏极电流增大而形成雪崩击穿
D.发射出光子,形成光发射电流
第10题
A.可调电阻区
B.饱和区
C.击穿区
D.负阻区
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