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[单选题]

短沟道效应会导致的后果不包括的是()。

A.阈值电压降低,器件特性改变

B.亚阈值特性变差,漏电流更加明显

C.漏极电子发生倍增,形成衬底电流

D.沟道电阻降低,饱和电流上升

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更多“短沟道效应会导致的后果不包括的是()。”相关的问题

第1题

短沟道效应会引起的变化是()。

A.沟道长度减小,阈值电压增大

B.沟道长度减小,阈值电压减小

C.沟道长度减小,阈值电源不变

D.沟道长度减小,阈值电压不一定

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第2题

当MOSFET栅极电压未达到阈值电压值时,流过漏极的电流为零。()
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第3题

PMOS管的漏极电流是()形成的。

A.空穴

B.电子

C.电子和空穴

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第4题

功率场效应晶体管的输出特性表示在栅源电压VCS为一定值时,()之间的关系。

A.漏极电流与漏极电压

B.源极电流与漏极电压

C.漏极电流与漏源极电压

D.源极电流与漏源极电压

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第5题

当场效应管工作在放大区、且栅源电压不变时,漏极电流具有()特性。
当场效应管工作在放大区、且栅源电压不变时,漏极电流具有()特性。

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第6题

功率场效应管漏极伏安特性可分为放大区、饱和区和击穿区()
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第7题

有关功率半导体器件不正确的描述是()

A.功率半导体器件处于开关状态

B.导通管压降低

C.漏电流小

D.管子导通时,相当于开路

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第8题

一般MOS器件的源漏是对称的,这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。()
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第9题

热载流子效应引起的影响不包括()。

A.碰撞电离产生衬底电流而使衬底电势起伏

B.热电子跨越Si-SiO2势垒,被注入栅介质

C.漏极电流增大而形成雪崩击穿

D.发射出光子,形成光发射电流

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第10题

在放大电路中,场效应管工作在漏极特性曲线的()区域

A.可调电阻区

B.饱和区

C.击穿区

D.负阻区

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