有关功率半导体器件不正确的描述是（）

A.没有管压降、没有电流流过

B.依然有很小的管压降、仍有微弱的电流流过

C.依然有很小的管压降、没有电流流过

D.没有管压降、仍有微弱的电流流过

A.截止或放大

B.导通或放大

C.截止或导通

A.功率开关导通期间，续流二极管正偏也导通

B.功率开关导通期间，续流二极管反偏不导通

C.功率开关导通期间，储能电感向负载释放能量

D.功率开关关闭期间，续流二极管反偏不导通

A.正比

B.反比

C.非线性

D.没有关系

A.NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器

B.当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD

C.当NMOS管导通时，输出电压VD下降

D.管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用

A.scr

B.mosfet

C.GT-R

D.Igbt

A.功率开关导通期间，二极管正偏也导通

B.功率开关导通期间，二极管反偏不导通，储能电感储存能量

C.功率开关关闭期间，二极管反偏不导通

D.功率开关导通期间，储能电感向负载释放能量

A.功率开关导通期间，二极管正偏也导通

B.功率开关导通期间，储能电感释放能量

C.功率开关关闭期间，二极管正偏导通，储能电感向负载释放能量

D.功率开关关闭期间，二极管反偏不导通