短沟道效应会引起的变化是（)。

A.减小沟道长度

B.增大衬底掺杂浓度

C.增大衬底偏压

D.增大栅氧化层电容

A.沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加

B.沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C.由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小

D.沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似

A.采用应力工程，提高载流子迁移率

B.提高跨导

C.增加沟道长度

D.减小栅围寄生电容

A.阈值电压降低，器件特性改变

B.亚阈值特性变差，漏电流更加明显

C.漏极电子发生倍增，形成衬底电流

D.沟道电阻降低，饱和电流上升

A.叶片长度逐渐减小，叶片数量逐渐增多

B.叶片长度逐渐减小，叶片数量逐渐减小

C.叶片长度逐渐增大，叶片数量逐渐增多

D.叶片长度逐渐增大，叶片数量逐渐减小

A.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大

B.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小

C.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大

D.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小

A、横刃斜角减小，横刃长度增大

B、横刃斜角增大，横刃长度减小

C、横刃斜角减小，横刃长度减小

D、横刃斜角增大，横刃长度增大

A.正值，强反型

B.正值，导电沟道消失

C.负值，强反型

D.负值，导电沟道消失

A.减小;

B.增大;

C.不变化;

D.有时大有时小。