下列不会加重漏致势垒降低效应的是（)

A.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大

B.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小

C.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大

D.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小

A.碰撞电离产生衬底电流而使衬底电势起伏

B.热电子跨越Si-SiO2势垒,被注入栅介质

C.漏极电流增大而形成雪崩击穿

D.发射出光子，形成光发射电流

A.氧化层正电荷控制不当

B.衬底材料掺杂浓度选择不妥

C.源漏材料掺杂浓度选择不妥

D.以上都是形成的原因

A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大

B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高

C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大

D.考虑发射效率公式，放大系数减小

A.使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中

B.PN结外加正向偏压增大

C.PN结外加反向偏压减小

D.使空间电荷区势垒宽度减小

A.沟道长度减小，阈值电压增大

B.沟道长度减小，阈值电压减小

C.沟道长度减小，阈值电源不变

D.沟道长度减小，阈值电压不一定

A.负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大

B.负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关

C.当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小

D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小

A.外加正偏压时，半导体一侧势垒降低

B.外加反偏压时，半导体一侧势垒增高

C.外加正偏压时，金属一侧势垒基本不变

D.外加反偏压时，金属一侧势垒基本不变

E.外加正偏压时，半导体一侧势垒增高

F.外加反偏压时，半导体一侧势垒降低