A.氧化层正电荷控制不当
B.衬底材料掺杂浓度选择不妥
C.源漏材料掺杂浓度选择不妥
D.以上都是形成的原因
第1题
A.减小沟道长度
B.增大衬底掺杂浓度
C.增大衬底偏压
D.增大栅氧化层电容
第2题
第3题
A.温度
B.掺杂浓度
C.氧化层厚度
D.非本征德拜长度
第4题
A.此时满足条件
B.沟道夹断点从源端向漏端移动
C.沟道夹断点电压为
D.沟道夹断区为耗尽区
第5题
A.积累,正值
B.耗尽,正值
C.积累,负值
D.耗尽,负值
第6题
第7题
A.结型场效应管
B.绝缘栅型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.P沟道增强型MOS管
E.N沟道耗尽型MOS管
F.P沟道耗尽型MOS管
第8题
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加,阈值电压增加
第9题
A.沟道长度越长,衬底掺杂浓度越大
B.沟道长度越长,衬底掺杂浓度越小
C.沟道长度越短,衬底掺杂浓度越大
D.沟道长度越短,衬底掺杂浓度越小
第10题
A.大,大
B.大,小
C.小,大
D.小,小
1. 搜题次数扣减规则:
备注:网站、APP、小程序均支持文字搜题、查看答案;语音搜题、单题拍照识别、整页拍照识别仅APP、小程序支持。
2. 使用语音搜索、拍照搜索等AI功能需安装APP(或打开微信小程序)。
3. 搜题卡过期将作废,不支持退款,请在有效期内使用完毕。
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!
您认为本题答案有误,我们将认真、仔细核查,如果您知道正确答案,欢迎您来纠错