下列说法中，哪一项不是对PN结空间电荷区充电（)。

A.在PN结上的正向电压减小

B.在PN结上的反向电压增加

C.使空间电荷区势垒宽度增加

D.使载流子从半导体流入空间电荷区

A.N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合，使得空间正电荷区变窄

B.N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布

C.P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合，使得空间负电荷区变窄

D.P区的空穴顺着外电场方向运动，越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布

A.变窄

B.变宽

C.多子扩散

D.少子漂移

A.半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值

B.空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C.空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D.对于n型，外加电压VG＞0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上

B.对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展

C.平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等

D.平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似

A.变窄

B.变宽

C.基本不变

D.不确定

A、变宽

B、变窄

C、基本不变

A.变宽变大

B.变窄变小

C.变宽变小

D.变窄变大