长沟道器件的源漏电流与沟道长度的倒数成正比。（)

A.可调电阻区的电压范围为

B.近漏处比近源处的沟道厚度要小

C.此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系

D.越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大

A.沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加

B.沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C.由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小

D.沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似

A.如果考虑寄生电容，相比理想情况，最高振荡频率会降低

B.理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响

C.最高振荡频率与器件跨导成正比

D.最高振荡频率与器件沟道长度成正比

A.此时满足条件

B.沟道夹断点从源端向漏端移动

C.沟道夹断点电压为

D.沟道夹断区为耗尽区

A.阈值电压降低，器件特性改变

B.亚阈值特性变差，漏电流更加明显

C.漏极电子发生倍增，形成衬底电流

D.沟道电阻降低，饱和电流上升

A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等

B.晶格散射导致的载流子迁移率退化

C.小尺寸器件中的纵向电场

D.栅漏电容的米勒效应

A.漏区和源区的电压降可以忽略不计

B.沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多

C.在沟道内载流子的迁移率为常数

D.其他选项都正确

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

A.沟道长度减小，阈值电压增大

B.沟道长度减小，阈值电压减小

C.沟道长度减小，阈值电源不变

D.沟道长度减小，阈值电压不一定