n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（)。

A.此时满足条件

B.沟道夹断点从源端向漏端移动

C.沟道夹断点电压为

D.沟道夹断区为耗尽区

A.n型，电源电压

B.n型，地

C.p型，电源电压

D.p型，地

A.饱和区

B.截止区

C.线性放大区

D.可调电阻区

A.可调电阻区

B.饱和区

C.击穿区

D.负阻区

A.空穴，由源端到漏端

B.空穴，由漏端到源端

C.电子，由源端到漏端

D.电子，由漏端到源端

A.可变电阻区

B.预夹断临界点

C.截止区

D.饱和区

A.可调

B.不可调

C.固定值

D.不确定

A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压

B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小

C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态

D.氧化层厚度增加，阈值电压增加