对n沟增强型MOSFET而言，源极接地，半导体表面达到强反型后，___在沟道中______进行输运。

A.空穴，由源端到漏端

B.空穴，由漏端到源端

C.电子，由源端到漏端

D.电子，由漏端到源端

A.可调电阻区的电压范围为

B.近漏处比近源处的沟道厚度要小

C.此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系

D.越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大

A.此时满足条件

B.沟道夹断点从源端向漏端移动

C.沟道夹断点电压为

D.沟道夹断区为耗尽区

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压

B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小

C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态

D.氧化层厚度增加，阈值电压增加

A.漏端，漏端

B.漏端，源端

C.源端，漏端

D.源端，源端

A.n型，电源电压

B.n型，地

C.p型，电源电压

D.p型，地

A.正值，电子

B.正值，空穴

C.负值，电子

D.负值，空穴

A.沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加

B.沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C.由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小

D.沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似

A.积累，无

B.耗尽，无

C.反型，有

D.积累，有