衬底电流及寄生双极管效应发生的原因可能是沟道横向电场过强。（)

A.沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加

B.沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C.由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小

D.沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似

A.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大

B.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小

C.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大

D.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小

A.阈值电压降低，器件特性改变

B.亚阈值特性变差，漏电流更加明显

C.漏极电子发生倍增，形成衬底电流

D.沟道电阻降低，饱和电流上升

A.碰撞电离产生衬底电流而使衬底电势起伏

B.热电子跨越Si-SiO2势垒,被注入栅介质

C.漏极电流增大而形成雪崩击穿

D.发射出光子，形成光发射电流

A.减小沟道长度

B.增大衬底掺杂浓度

C.增大衬底偏压

D.增大栅氧化层电容