不能单纯依靠提高发射区掺杂浓度来提高发射效率的物理原因是（)。

A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大

B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高

C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大

D.考虑发射效率公式，放大系数减小

A.发射区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,集电区面积大且掺杂较发射区轻;

B.集电区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较集电区轻;

C.基区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较基区轻;

D.发射区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,基区面积大且掺杂较发射区轻。

A.发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度

B.基区非常薄

C.集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大

D.以上三项

A.降低发射区与基区的方块电阻之比

B.减小基区宽度

C.减小基区自建电场因子

D.提高基区少子寿命和迁移率

A.A.发射区与基区交界处的PN结为发射结

B.B.基区与集电区交界处的PN结为发射结

C.C.发射区与基区交界处的PN结为集电结

D.D.发射区与集电区交界处的PN结为集电结

A.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大

B.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小

C.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大

D.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小