A.降低发射区与基区的方块电阻之比
B.减小基区宽度
C.减小基区自建电场因子
D.提高基区少子寿命和迁移率
第2题
A.减少在基区中复合的电子数
B.使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区
C.基区中空穴的扩散长度很小
D.使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界
第3题
A.工作在线性放大区时,集电极电流略有增加
B.基区有效宽度减小
C.基区少子浓度梯度增大
D.输出特性曲线左移
第5题
A.采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb
B.降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子
C.减小发射结和集电结面积以减小电容
D.适当降低集电区电阻率和厚度
第6题
A、发射区过高掺杂会使发射区迁移率降低
B、发射区过高掺杂会使发射区禁带宽度减小
C、发射区过高掺杂易发生基区大注入效应
D、发射区过高掺杂易诱发基区穿通
第8题
A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂,禁带宽度变窄,增大
B.发射区重掺杂导致电子浓度升高,增大,发射效率提高
C.俄歇复合增强,空穴寿命减小,扩散长度减小,增大
D.考虑发射效率公式,放大系数减小
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