随着温度的升高，非简并n型半导体电导率的变化过程为？（)

A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)

B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)

C.先减小(考虑晶格振动散射)，后增大(考虑本征激发)，再减小(考虑晶格振动散射)

D.先增大(晶格振动散射)，后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射)，再增大(考虑本征激发)

A.若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大

B.若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小

C.若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降

D.若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小

E.若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大

F.杂质浓度较高时，电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值

A.变大，变大

B.变大，变小

C.变小，变大

D.变小，变小

A、若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大

B、若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小

C、若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降

D、若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小

E、若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大

F、杂质浓度较高时，电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值

A.受主杂质电离

B.施主杂质电离

C.本征激发

D.杂质散射

A.正，电离施主杂质

B.正，电离施主杂质和空穴

C.负，电离受主杂质

D.负，电离受主杂质和电子

A.增大

B.减小

C.不变

D.先减小，后增大

E.先增大，后减小

A.电离杂质散射

B.声学波散射

C.光学波散射

D.谷间散射

E.位错散射

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

A、电离杂质散射

B、光学声子散射

C、声学声子散射

D、中性杂质散射