随着温度的升高，n型半导体电导率的变化应为（)。

A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)

B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)

C.先减小(考虑晶格振动散射)，后增大(考虑本征激发)，再减小(考虑晶格振动散射)

D.先增大(晶格振动散射)，后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射)，再增大(考虑本征激发)

A.变大，变大

B.变大，变小

C.变小，变大

D.变小，变小

A.若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大

B.若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小

C.若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降

D.若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小

E.若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大

F.杂质浓度较高时，电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值

A、若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大

B、若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小

C、若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降

D、若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小

E、若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大

F、杂质浓度较高时，电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值

A.受主杂质电离

B.施主杂质电离

C.本征激发

D.杂质散射

A.电离杂质散射

B.声学波散射

C.光学波散射

D.谷间散射

E.位错散射

A、电离杂质散射

B、光学声子散射

C、声学声子散射

D、中性杂质散射

A.电子在晶格中被格波散射可以看作是电子与声子的相互作用

B.在半导体中起主要散射作用的是长波，而且是纵波

C.声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而增大

D.声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而降低

E.声学波散射的散射几率随温度升高而增大;光学波散射的散射几率随温度升高而降低

A.正，电离施主杂质

B.正，电离施主杂质和空穴

C.负，电离受主杂质

D.负，电离受主杂质和电子

A.增大

B.减小

C.不变

D.先减小，后增大

E.先增大，后减小