室温范围，n型半导体的电阻率随温度升高如何变化？（)

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增后减

A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)

B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)

C.先减小(考虑晶格振动散射)，后增大(考虑本征激发)，再减小(考虑晶格振动散射)

D.先增大(晶格振动散射)，后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射)，再增大(考虑本征激发)

A.减小

B.增大

C.不变

D.先减小后增大

A.增大

B.不变

C.先增大再减小

D.减小

A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)

B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)

C.先减小(考虑晶格振动散射)，后增大(考虑本征激发)，再减小(考虑晶格振动散射)

D.先增大(晶格振动散射)，后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射)，再增大(考虑本征激发)

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后变小

A.减小

B.先减小后增大

C.增大

D.先增大后减小

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

E.先减小后增大

A.保持不变

B.增大

C.减小

D.先减小后增大

A.减小；

B.不变；

C.增大；

D.先减小后增大。