A.正,负
B.正,正
C.负,正
D.负,负
第2题
第3题
A.空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动
B.空穴常出现在价带顶
C.空穴的有效质量为正
D.空穴常出现在导带底部
E.空穴的有效质量为负
第7题
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下,硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子,其有效质量为正,位于能带顶的电子,其有效质量为负
第9题
A.迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值
B.迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度
C.电子的迁移率为正
D.电子的迁移率大于空穴的迁移率
E.电子的迁移率为负,空穴的迁移率为正
F.电子的迁移率小于空穴的迁移率G、电子的迁移率等于空穴的迁移率
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