关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是()

A.也可用于晶体生长

B.避免了坩埚的污染

C.熔硅不会流动是由于其很大的表面张力

D.硅也能采用水平区域提纯法

A.硅也能采用水平区域提纯法

B.也可用于晶体生长

C.避免了坩埚的污染

D.熔硅不会流动是由于其很大的表面张力

A、区域提纯

B、精馏

C、物理提纯法

D、吸附

A.区熔宽度以棒的直接为参考

B.熔区行程以10倍熔区为宜

C.提纯次数：硼检10次

A.中间化合物的合成

B.中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅

C.区域提纯

D.中间化合物的分离提纯

A.铍内标KCL载体混合溶液每毫升含铍0.1

B.盐酸优级纯再经石墨熏蒸器提纯两次

C.氢氟酸优级纯再经一次提纯，采用自制塑料蒸馏器，置于70℃左右的水浴中提纯，弃去前后馏分各10%

D.封闭剂1%聚苯乙烯乙酸乙酯溶液