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[单选题]

非晶硅最常用的生产方法是()。

A.光化学气相沉积

B.溅射气相沉积

C.热丝化学气相沉积

D.辉光放电分解气相沉积

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更多“非晶硅最常用的生产方法是()。”相关的问题

第1题

化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有()。

A.等离子增强化学气相沉积

B.热丝化学气相沉积制备多晶硅

C.低压化学气相沉积制备多晶硅

D.非晶硅晶化制备多晶硅薄膜

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第2题

关于气相沉积法错误的说法是()。

A.化学气相沉积可以选取任意的反应物

B.化学气相沉积是通过气相化学反应生成固态产物并沉积在固体表面的过程

C.物理气相沉积过程没有发生化学反应

D.气相沉积包括化学气相沉积和物理气相沉积

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第3题

气相沉积法包括物理气相沉积法PVD和化学气相沉积法CVD。()
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第4题

常用的多晶硅薄膜的制备方法有()。

A.利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜

B.将多晶硅片切薄

C.对多晶硅片进行热处理

D.非晶硅晶化制备

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第5题

物理气相沉积装置和化学气相沉积装置均为真空装置。()
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第6题

气相沉积过程包括哪几个环节()。

A.气相物质的产生

B.气相物质的输运

C.气相物质在工件表面沉积形成固态薄膜

D.沉积材料蒸发

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第7题

有机半导体薄膜成膜技术包括()。

A.真空热蒸发沉积

B.丝网印刷技术

C.旋转涂层法

D.有机气相沉积法

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第8题

制备石英光纤有多种方法,其中等离子体化学气相沉积法的缩写是()

A.PCVD

B.CVD

C.MCVD

D.AVD

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第9题

以下哪一种不属于量子点的外延生长方法________?

A.离子束刻蚀法

B.MOCVD

C.化学气相沉积法

D.MBE

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第10题

下列哪几项属于光纤预制棒制作方法()

A.管内化学汽相沉积法

B.轴向汽相沉积法

C.管外化学汽相沉积法

D.多元素组分玻璃法

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