关于d／a界面说法正确的是（)。

A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配

B.由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态

C.化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态

D.材料表面的化学吸附

E.材料表面的原子重构

A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配

B.由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态

C.化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态

D.半导体材料的表面吸附

A.A.与界面二边材料的声速有关

B.B.与界面二边材料的密度有关

C.C.与界面二边材料的声速有关

D.D.与入射声波波型有关

A.由于PN结交界面处有电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过

B.在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为P型半导体

C.PN结的伏安特性方程可以描述死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区的特性

D.因为P型半导体的多子是空穴，少子是自由电子，因此P型半导体带正电

A.固定正电荷

B.Si-SiO2界面态

C.可动电荷

D.电离陷阱

A.两者的界面处一边形成了积累层，一边则形成耗尽层

B.界面两边形成的都是耗尽层

C.界面两边形成的都是积累层

D.界面两边形成的都是反型层

A.靠近P区的势垒区边界

B.靠近N区的势垒区边界

C.PN结界面处

D.电势处处相等

A.纤维型

B.反射型

C.发泡型

D.复合型

A.电子空穴分离

B.吸收光子

C.运输到D/A界面处

D.产生激子