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[单选题]

肖特基管与快恢复管相比()。

A.耐压高

B.反向恢复时间长

C.正向压降大

D.耐压低,正向压降小

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更多“肖特基管与快恢复管相比()。”相关的问题

第1题

电导调制效应使得电力二极管在正向电流较大时管压降较高。()
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第2题

使用数字万用表“二极管档”检查二极管的好坏,当二极管正接时显示的数值为二极管的()值。
使用数字万用表“二极管档”检查二极管的好坏,当二极管正接时显示的数值为二极管的()值。

A、正向电阻

B、正向电流

C、正向压降

D、正向管耗

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第3题

实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取(),锗管一般为()

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第4题

对二极管模型的描述不正确的是()。

A.二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关

B.二极管的恒压降模型,硅管导通压降0.7V,锗管导通压降0.2V

C.二极管理想模型,正向偏置时电阻为零,反向偏置时电阻无穷大

D.二极管折线模型,看成是0.5V的电源和一个电阻串联,此时二极管电流大于1mA

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第5题

主风、烟气管线的特点是()

A.大压降、小流量

B.低压降、小流量

C.低压降、大流量

D.大压降、大流量

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第6题

GTR的主要特性是()。

A.耐压低

B.耐压高

C.电流大

D.电流小

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第7题

在常温下,硅二极管的死区电压约为()V,导通后正向压降约为()V;锗二极管的死区电压约为()V,导通后正向压降约为()V。
在常温下,硅二极管的死区电压约为()V,导通后正向压降约为()V;锗二极管的死区电压约为()V,导通后正向压降约为()V。

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第8题

硅二极管导通时的正向压降0.7V。()
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第9题

PN结的温度每升高10,正向压降变化 ()mV

A.+20

B.-20

C.+200

D.-200

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第10题

理想半导体开关器件在导通时()、截止时()。

A.没有管压降、没有电流流过

B.依然有很小的管压降、仍有微弱的电流流过

C.依然有很小的管压降、没有电流流过

D.没有管压降、仍有微弱的电流流过

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