A.80 ℃
B.60 ℃
C.50 ℃
D.70 ℃
第1题
A80
B60
C40
D30
第2题
第3题
A.A.晶体
B.B.非晶体
C.C.晶格
D.D.晶粒
第4题
A.反应温度在280℃~300℃之间
B.硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥
C.晶体生长速度
D.合成时加入少量的催化剂,可降低温度
第5题
A.室温
B.23~25℃
C.35~37℃
D.40~44℃
E.50~55℃
第6题
A.60℃
B.56℃
C.37℃
D.22℃
E.4℃
第7题
第8题
A.50±1℃
B.54±1℃
C.51±1℃
第9题
A.A.沸点
B.B.三相点
C.C.熔点
D.D.平衡温度
第10题
A.100℃
B.50℃
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