锗二极管的导通电压为0.2V（）

在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示 。对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V（）

锗二极管正向导通电压为0.6～0.8V。（)

硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)

锗二极管正向导通电压约为0.2~0.3V。（)

常温下，锗二极管导通后的正向电压约为______。

在常温下，硅二极管的死区电压约为()V，导通后正向压降约为()V;锗二极管的死区电压约为()V，导通后正向压降约为()V。

硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。（)

二极管具有单向导电性，加正向电压，二极管截止；加反向电压，二极管导通（）

晶体三极管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约0.7V，锗管发射结的导通电压约0.3V。（)

硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V