关于本征吸收，以下说法正确的是？（)

A.自由载流子吸收与本征吸收的区别在于：电子从低能态到较高能态的跃迁是在同一能带中进行

B.自由载流子吸收与本征吸收的相同之处在于：仍然遵守能量守恒和动量守恒。自由载流子吸收类似于间接跃迁吸收，电子的跃迁过程中也伴随着吸收或发射一个声子

C.产生自由载流子吸收的光波波长大于本征吸收限 ，所以自由载流子吸收是红外吸收

D.杂质能级上的电子或空穴吸收光子跃迁到导带或价带，称为自由载流子吸收

A.本征跃迁是本征吸收的逆过程

B.对于直接禁带半导体，其本征跃迁为直接跃迁

C.直接跃迁过程中只有光子和电子参与

D.对于间接禁带半导体，其本征跃迁是间接跃迁

E.间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外，还有声子参与

F.间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多

A.产生一组电子——空穴对

B.仅产生一个导带的电子

C.仅产生一个价带的空穴

D.不产生电子和空穴

A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子

B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度

C.非平衡电子和空穴成对产生

D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子

A.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度

B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度

C.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度

D.电子浓度和空穴浓度均为0

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

A.本征半导体的载流子浓度来源于本征激发

B.本征半导体，电子浓度等于空穴浓度

C.本征半导体的载流子浓度与温度无关

D.一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小

A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程

B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁

C.作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势

D.辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁

A.价带的电子跃迁到导带

B.导带的电子跃迁到价带

C.施主态上的电子跃迁到导带

D.受主态上的电子跃迁到价带