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若园晶片直径为D，探测距离为X，声压公式为Px=P0πD2£¯4λx，则()

若园晶片直径为D，探测距离为X，声压公式为Px=P0πD2£¯4λx，则（)

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第1题

设晶片表面的平均入射声压为P0则理想园平面小缺陷的反射声压PF=P0As·S£¯λ2X2，反射波的声压与缺

设晶片表面的平均入射声压为P0则理想园平面小缺陷的反射声压PF=P0As·S/λ2X2，反射波的声压与缺陷面积S成()比，同时与缺陷距离X的()成反比而()。面积为As的晶片近场距离为N，当距离在1.6N以外时,这个算式可以认为基本上是成立的。

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第2题

采用接触法超探，探测距离大时，为获得较集中的能量，应选用（）直径的晶片

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第3题

若x=100101，y=001001，则x和y的汉明距离为()。

若x=100101，y=001001，则x和y的汉明距离为（)。

A.2

B.3

C.4

D.5

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第4题

若x的值为10，则表达式x%-3的值为()，表达式x%3的值为()。

若x的值为10，则表达式x%-3的值为（)，表达式x%3的值为（)。

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第5题

设X为随机变量，若方差D(2X－6)=8,则：方差D(X)=()。

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第6题

若F’(x)=f(x),C为任意常数，则下式成立的是()。

若F’（x)=f（x),C为任意常数，则下式成立的是（)。

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第7题

若X服从参数为2的泊松分布，则P(X=k)=()。

若X服从参数为2的泊松分布，则P（X=k)=（)。

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第8题

若x和n均是int型变量，且x的初值为12，n的初值为5，则执行下面表达式后，x的值为()。x%=(n%=2)

若x和n均是int型变量，且x的初值为12，n的初值为5，则执行下面表达式后，x的值为（)。x%=（n%=2)

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第9题

设随机变量X,若E(X)=4;则E(2X-1)=()

设随机变量X,若E（X)=4;则E（2X-1)=（)

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