关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述，正确的是？（)

A.满带与导带重合

B.禁带宽度较宽

C.禁带宽度较窄

D.以上都是错的

A.金刚石型，直接带隙半导体

B.闪锌矿型，直接带隙半导体

C.金刚石型，间接带隙半导体

D.闪锌矿型，间接带隙半导体

A.硅是间接带隙半导体

B.禁带宽度具有负的温度系数

C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV

D.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负

A.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

B.在异质pn结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度

C.在异质pn结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

D.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

A.带间吸收

B.带内吸收

C.能带与局部能级间的吸收

D.局部能级间的吸收

E.较高能量带间跃迁吸收

A.Si

B.Ge

C.GaAs

D.InP

A.n型简并半导体，导带中的电子服从费米分布函数

B.p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数

C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带

D.n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

E.p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

F.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T