关于“非简并半导体”,以下说法正确的是：（)。

A.n型简并半导体，导带中的电子服从费米分布函数

B.p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数

C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带

D.n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

E.p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

F.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

A.玻耳兹曼粒子

B.费米子

C.玻色子

A.费米子

B.玻色子

C.玻耳兹曼粒子

A.w/(exp(a+be)-1)

B.wexp(-a-be)

C.w/(exp(a+be)+1)

D.w(exp(a+be)+1)

A.光子系统

B.自由电子系统

C.玻耳兹曼系统

A.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度

B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度

C.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度

D.电子浓度和空穴浓度均为0

A.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度

B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度

C.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度

D.施主杂质的浓度等于受主杂质的浓度

E.电子浓度和空穴浓度均为0

A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子

B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度

C.非平衡电子和空穴成对产生

D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子

A.德布罗意分布

B.赫兹分布

C.二维分布

D.波兹曼分布

A.正则分布

B.微正则分布

C.经典分布

D.麦克斯韦分布