A.控制极
B.集电极
C.阴极
D.阳极
E.栅极
第1题
A.基极
C.发射极
D.阴极
E.阳极
第2题
B.漏极
C.集电极
D.栅极
第3题
A.GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。
B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
第4题
A.阳极
B.源极
C.漏极
第5题
A.门极
B.阴极
C.控制极
第6题
A.灯丝
C.控制栅极
D.第一阳极
E.第二阳极和第三阳极
第7题
A.阳极电位高于阴极电位
B. 在控制极施加对阴极为正的且满足要求的触发脉冲
C. 阴极电位高于阳极电位
D. 在控制极施加对阳极为正的且满足要求的触发脉冲
第8题
A.集电极
B.栅极
D.门极
第9题
A.栅极
B.灯丝
C.加速极
D.聚焦极
第10题
A.阳极电流
B.两水平
C.极上保温料
D.极距
E.阴极电流
第11题
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