第9题
A.采用当量试块比较法测定的结果
B.对大于声束的缺陷,采用底波对比而测得的结果
C.根据缺陷反射波高和探头移动的距离而测得的结果
D.缺陷定量法之一,和AVG曲线的原理相同
第10题
设晶片表面的平均入射声压为P0则理想园平面小缺陷的反射声压PF=P0As·S/λ2X2,反射波的声压与缺陷面积S成()比,同时与缺陷距离X的()成反比而()。面积为As的晶片近场距离为N,当距离在1.6N以外时,这个算式可以认为基本上是成立的。
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